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功率器件:IGBT、MOS、SiC价格整体稳定部分料号有所上
2022-06-25 06:23:37   来源:火狐体育官网app   作者:火狐体育平台app下载   点击:1

  根据正能量电子网显示的功率器件渠道报价,我们梳理了MOSFET等产品的主要海外厂商的价格情况。从MOSFET产品来看,中低压小信号MOSFET价格自21Q4下行以来,目前价格已经稳定。中高压MOSFET方面,整体稳中有涨。例如,安森美150V的沟槽型产品价格保持稳定,而其500V的超级结产品价格继续保持高位。英飞凌的100V车规产品在5月环比4月有小幅上涨,显示车规需求仍较好。

  我们选取600V、1200V各两款产品以跟踪IGBT单管目前的市场情况。从数据可以看出,进入Q2后IGBT单管价格保持稳定,其中1200V产品价格环比持平,而安森美和英飞凌的600V产品环比Q1仍有一定上涨。由于IGBT单管下游应用领域广泛,包括工业、光伏、充电桩、汽车等,所以预计在需求景气带动下,IGBT单管价格今年仍将保持在高位。

  根据CASAResearch统计的半导体器件经销商网上平均报价(元/安培)来看,SiC肖特基二极管(SBD)以及SiCMOSFET器件近年来在逐步下降,其中650VSiCSBD报价在2018~2020年的复合降幅达到25%,而650VSiCMOSFET的复合降幅为32%。由于SiC器件价格的下降,其与硅基器件的价差也在逐渐缩小。

  高压SiC与硅基价差缩小更明显。根据元器件经销商Mouser的数据,我们选取了650V和1200V分别一款IGBT单管和SiCMOSFET产品价格进行对比。在650V产品上,SiCMOSFET产品的渠道报价是IGBT单管的3.8倍,而1200V产品上,SiCMOSFET的渠道报价是IGBT单管的3.5倍,显示高压领域SiCMOSFET价格差距要更小一点。根据CASAResearch的说法,SiC器件的实际成交价基本约为公开报价的60%-70%,所以我们预计SiC与硅基器件的实际成交价差距可能缩小至3倍以下。

  投资建议:推荐关注受益于下游需求景气以及功率器件国产化加速的公司,标的包括:宏微科技、士兰微、斯达半导、时代电气、新洁能、扬杰科技。

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